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    行業資訊
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    • 來源: 安世半導體
    • 日期: 2022-03-03
            齊納二極管是電子電路的一個基本構建模塊,其作用是在達到特定反向電壓(常稱為齊納電壓)時允許大量電流反向流動。達到或超過此反向擊穿電壓后,齊納二極管便以恒定基準電壓運行。齊納二極管常用來產生穩定電壓,可廣泛用于需要將電壓鉗制或保持在某個限值以下的各種應用。齊納二極管的另一重要應用領域是鉗制不必要的過電壓以保護 MOSFET。

    齊納效應和雪崩效應
     

            電壓不超過 5 V 時,在反向偏置結的耗盡區,電子從價帶進入導電帶形成電子貫穿,從而產生電擊穿。一旦電場強度足夠高,自由電荷載流子就會導致反向電流陡然增加。此效應由克拉倫斯·梅爾文·齊納(Clarence Melvin Zener)于 1934 年首次發現,故以他的名字來命名此類二極管。

            如果電壓超過 5 V,另一種效應會變得更加顯著。PN 結的電場會使過渡區中的電子加速,產生電子空穴對。這些空穴會向負極移動并填上電子,而自由電子則向正極移動。不斷移動的空穴和電子通過釋放相鄰的束縛電子,可以產生更多攜帶高場強的電荷載流子。電荷載流子大量產生的過程迅速發展成雪崩,因此如果超過特定的反向電壓,就會有大量電流開始流動。

    圖片

    △ 齊納二極管的I-V特性
     

    電壓容差
     

            Nexperia(安世半導體)針對 1.8 V 到 75 V 范圍的多種不同電壓制造了齊納二極管,并在規定的反向電流下測試了保證容差。標準容差為 B-selection ±2% 和 C-selection ±5% 左右。為滿足更高精度要求,Nexperia(安世半導體)最近推出了 A-selection 齊納二極管的廣泛產品組合,容差為 ±1%。

     

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